مطالعه مکانیسم رسوب‌دهی شیمیایی بخار به کمک پلاسما و کاربردهای آن

همچون سایر روش‌های رسوب‌ دهی شیمیایی بخار (CVD)، رسوب‌ دهی شیمیایی بخار به کمک پلاسما (PECVD) فرایندی برای لایه نشانی (رسوب دهی) فیلم‌های نازک از یک ماده در حالت گاز (بخار) بر روی یک بستر می‌ باشد. در این فرآیند با کمک تشکیل پلاسما (بیشتر تحت عنوان پلاسمای سرد شناخته می‌شود) در محفظه لایه ‌نشانی، دمای کلی برای انجام فرآیند پایین می‌آید (به اعمال دمایی کمتر از دمای فرآیندهای ترموشیمی معمول نیاز است). از طرفی برخلاف روش‌های رسوب ‌دهی فیزیکی بخار PVD (شامل روش کندوپاش و نهشت یونی –Ion Plating-...)، در طی فرایند PECVD واکنش‌ های شیمیایی انجام می ‌پذیرند. پلاسما معمولا توسط تخلیه الکتریکی بین دو الکترود ایجاد می‌ شود که فضای بین آن ها با گازهای واکنش دهنده پر شده‌ است. پلاسما می‌تواند با جریان مستقیم و یا با فرکانس رادیویی و یا جریان متناوب به وجود آید. از مهمترین کاربرد PECVD می ‌توان به لایه نشانی مدارهای مجتمع و همچنین سطوح اپتوالکترونیکی (زمانی که استفاده از دمای بالا در راکتور ناممکن است) اشاره کرد.